Автоматическая установка совмещения и экспонирования MIDAS SYSTEM MDA-40FA
Арт. MDA-40FA
Характеристики
Страна производства
—
Южная Корея
Разрешение
—
1 мкм (тонкий фоторезист, кремниевая пластина, вакуумный контакт)
Камера
—
CCD-камера, микроскоп двойного поля
Монитор
—
Сенсорный
Режимы работы
—
Мягкий контакт, жёсткий контакт, вакуумный контакт с регулируемым усилием, экспонирование с микрозазором
Полностью автоматическая установка совмещения и экспонирования MIDAS SYSTEM MDA-40FA для пластин до 6 дюймов с точностью совмещения 1 мкм.
По запросу
Цены на сайте указаны с учётом НДС.
MDA-40FA — установка контактной фотолитографии: она совмещает фотошаблон с пластиной и засвечивает фоторезист ультрафиолетом. Совмещение, фокусировка и экспонирование идут автоматически, пластины подаются из кассеты в кассету. Выпускает установку корейская компания MIDAS SYSTEM.
- Установку применяют в производстве светодиодов и там, где нужна высокая точность совмещения: MEMS, оптоэлектроника, FPD-панели, ВЧ-устройства, flip chip.
- Шаблон и пластину совмещают по микроскопу двойного поля с CCD-камерой. Столик перемещается по X, Y и Z и поворачивается, подъём и поворот моторизованы.
- Клин засветки компенсирует система на воздушных подшипниках, край пластины находит датчик давления. Так шаблон ложится на пластину без перекоса.
- Экспонировать можно с мягким, жёстким или вакуумным контактом с регулируемым усилием прижима, а также с регулируемым микрозазором.
- Интенсивность УФ-излучения настраивается, время экспонирования задаётся от 0,1 до 999,9 с с шагом 100 мс.
- Установка управляется с компьютера через сенсорный монитор, поддерживает удалённое управление и подключение к роботу, стоит на антивибрационной системе.
- По заказу добавляются обратное совмещение по CCD-камере (BSA) и датчик интенсивности УФ и дальнего УФ.
- Для пластин до 8 дюймов в серии есть MDA-80FA с лампой 2 кВт.
Размер подложки, мм
Фрагменты и пластины до 6 дюймов (150 мм)
Режимы работы
Мягкий контакт, жёсткий контакт, вакуумный контакт с регулируемым усилием, экспонирование с микрозазором
Количество осей перемещения
4 (X, Y, Z, θ), Z и θ моторизованы
Страна производства
Южная Корея
Мощность УФ/ИК-излучения, кВт
УФ-лампа 350 или 500 Вт либо УФ-светодиодный модуль 365 нм
Интенсивность света, мВт/см²
До 25 мВт/см² на 365 нм; неоднородность пучка менее ±3%
Разрешение
1 мкм (тонкий фоторезист, кремниевая пластина, вакуумный контакт)
Камера
CCD-камера, микроскоп двойного поля
Ход рабочего стола, мм
Z ±10 мм (другой по запросу), θ ±4°
Монитор
Сенсорный
Длина волны
350–450 нм (другие по запросу); 365 нм у светодиодного модуля
Производительность
100 пластин/ч
Назначение
Совмещение фотошаблона с пластиной и экспонирование фоторезиста в фотолитографии
Размеры, мм
Маска до 177,8x177,8 (7x7 дюймов); однородный пучок 158,75x158,75 (6,25x6,25 дюйма)
Система управления
ПК с ПЛК-контролем
Точность позиционирования, мм
0,001 (точность совмещения 1 мкм); предварительное совмещение ±0,05
Загрузка отзывов...
Добавить отзыв
